낸드 기술에 대해 다루다가 2024년부터 AI와 고성능컴퓨팅(HPC) 부상으로 D램과 차세대 메모리·스토리지 기술 경계가 모호해지면서 지금 이름으로 일종의 ‘리브랜딩’을 했다. 삼성전자가 2021년 업계 최초로 CXL 기반 D램 메모리 기술을 개발한 뒤 이듬해 SK하이닉스 역시 곧바로 CXL 메모리 샘플을 선보였다. 삼성전자는 ‘CXL 메모리 풀링 기반 KV캐시 오프로딩’ 실험 결과를 발표했는데, 512GB D램 구성에선 KV캐시 요구량이 가용 메모리 용량을 초과해 성능이 저하됐지만 1TB CXL 메모리 풀은 KV캐시 요구량을 지원하면서 성능을 안정적으로 유지했다. 앞서 CXL을 설명하면서 최근 SK하이닉스가 CXL 기반 PNM 모듈 ‘CMM-Ax’를 선보였다고 했다. 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 낸드를 HBM처럼 쌓은 개념이니 D램 대비 큰 용량을 상대적으로 저렴하게 제공할 수 있다.